2021-06-24 12:47:10
6月23日，总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式投产，这是国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合(IDM)生产线。在业内人士看来，作为国内第三代半导体龙头，三安光电持续加大在第三代半导体领域的投资，技术和工艺积累深厚，该项目投产将大力推动国内第三代半导体(即宽禁带半导体)全产业链的发展。
国内首条IDM产线
资料显示，湖南三安半导体基地总投资160亿元，于2020年7月破土动工，规划月产3万片6英寸碳化硅晶圆。三安光电副董事长、总经理林科闯表示，湖南三安半导体的业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节，可为客户提供高品质准时交付产品的同时，兼具大规模生产的成本优势。
据悉，湖南三安半导体的产品可广泛应用于通信、服务器电源、光伏、新能源汽车主驱逆变器、车载充电机和充电桩、智能电网、轨道交通等领域，将大力推动宽禁带半导体器件的普及。
记者了解到，湖南三安半导体基地全部建成达产后，预计可实现年销售额120亿元，年贡献税收17亿元，将有力促进第三代半导体行业加快发展，带动周边配套产业提供近万个就业机会。
三安光电表示，公司坚持将第三代半导体作为长期可持续发展战略的一部分，会持续加大投入加速产业布局，努力打造具有国际竞争力的半导体制造和服务平台。
在业内人士看来，作为第三代半导体垂直整合(IDM)产业模式的龙头，三安光电致力于打造研发制造服务平台型公司，打造全产业链生产线，有利于形成以长沙高新园区为中心的宽禁带半导体产业聚落，加速上游IC(集成电路)设计公司的设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期，从而推动产业链繁荣发展。
第三代半导体前景广阔
基于优越的电气性能，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体，可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频的新要求，第三代半导体市场规模快速增长，越来越受到业界关注。
相关资料显示，受益于电动车、光伏等第三代半导体电力电子器件市场规模快速增长，全球碳化硅衬底、器件厂商对碳化硅市场预期积极。据Cree(美国科锐)预计，碳化硅衬底及功率器件2024年市场规模分别可达11亿美元、50亿美元；据II-VI(美国二六)预计，到2030年碳化硅市场规模将超300亿美元，2020年至2030年复合增速高达50.60%。
氮化镓应用主要集中于快充、电源开关、LiDAR(激光雷达)、服务器电源等市场。法国研究机构Yole预测，到2023年，氮化镓射频器件的市场规模将达到13亿美元，复合增速为22.9%。
三安光电2020年年报显示，公司子公司三安集成涉及的射频、电力电子、光通讯、滤波器业务取得重大突破，产能逐季爬坡，全年实现销售收入9.74 亿元，同比增长304.83%。
三安集成的国内外客户累计近100 家，并成为国内知名射频设计公司的主力供应商。其电力电子产品主要为高功率密度碳化硅功率二极管、MOSFET 及硅基氮化镓功率器件。
